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TCME32溫補晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：3.2*2.5mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

TCME32溫補晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振，自1986年以來，ACT艾西迪晶振 - 以前的高級晶體技術 - 已發展成為高性能頻率控制石英晶體產品的領先設計合作伙伴。通過新的合作伙伴關系定制頻率解決方案,我們與Esterline研究和設計（ERD）的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術的界限。這些突破性產品為TCXO和OCXO設立了新標準，創造了當今市場上性能最高，最精確的振蕩器技術。
TCME32溫補晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振，無論您需要新技術，如M-SAC增強型貼片振蕩器，還是簡單的基本SMD晶振，我們的工程團隊都將幫助您為您的應用選擇合適的解決方案，并在整個設計周期和生產過程中為您提供支持。

ACT艾西迪晶振公司除了石英水晶組件,同時量產LC濾波器,SAW,實時時鐘,時鐘晶振,溫補晶振和天線等產品,但頻率元件一直都是艾西迪晶振公司最重要的模塊,除此之外,陶瓷諧振器,無源晶振等都深受各大知名企業的歡迎

TCME32溫補晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振，小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

Parameters

Specification

Remarks

Frequency

F_nom

32.768kHz

Supply voltage

Vcc

1.8V, 2.5V, 3.0V, 3.3V, 5.0V

±5% voltage change, ±10% for 5V

Supply voltage variation

0.25V max

?V/?T = 1V/us

Initial frequency tolerance

F_tol

±1.5ppm max

At +25°C±3°C

Frequency stability

vs Temperature

F_stb

±5.0ppm

vs Load change

F_load

±0.2ppm max

±10% load condition change

vs Voltage change

F_Vcc

±0.2ppm max

±5% input voltage change

vs Aging

F_age

±3.0ppm/year max

At +25°C

vs Reflow

±1.0ppm/year max

1 reflow and measured after 24hrs

vs all range Vcc

±1.0ppm/volt max

Vcc = 1.7V to 5.5V

Operating temperature range (°C)

Topr

‐40°C ~ +85°C

Table 1

Storage temperature (°C)

Tstg

‐55°C ~ +85°C

Output waveform

HCMOS

Output load

15pF

Output voltage high

Voh

Vcc ‐ 0.4V min. Ioh = ‐0.1mA

For all Vcc range

Output voltage low

Vol

0.4V max. Iol = 0.1mA

For all Vcc range

Current consumption

Icc

0.79 μA ~ 2.05μA

Table 2

Rise and fall time

Tr, Tf

100ns max

20% to 80% of waveform

Duty cycle

SYM

40%/60% typical

Measured at 50% Vcc

Start‐ up time

T_str

1.0 sec max at 25°C

3.0 sec max at ‐40°C~+85°C

Pad 1 OE thresholds

Vih = 0.8Vcc, Vil = 0.2Vcc

Timing error over time

±0.432sec/day

For ±5ppm over ‐40°C ~ +85°C

Note: The device is ESD sensitive and moisture sensitive level (MSL) ‐ 1

焊接和超聲波清洗
  晶振的焊接溫度條件是旨在允許同時處理其他電子元件，但取決于產品類型條件可能受到限制。確認使用前的條件。基本上，超聲波清洗助焊劑允許，但在某些情況下，與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會導致晶體單元的特性惡化。請檢查所有清潔前的條件。
腐蝕性物質的影響
  當SMD晶振單元接觸鹽或腐蝕性材料或長期暴露于某些物質這可能是氯化物或硫化物氣體等氣氛造成嚴重的缺陷，例如包裝失去其密封性由于腐蝕。選擇粘合劑或灌封時要特別小心用于晶體單元周邊的試劑。TCME32溫補晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振.
安裝引線安裝型晶體單元
  （1）在PC板上安裝一個壓電石英晶體單元，使其高度單位低于其他部分；這樣可以防止
由于沖擊引起的破損引起的支架式玻璃上方。玻璃破碎可能會影響氣密性密封導致性能下降。
  （2）安裝鉛封式晶體單元時使用PC板，PC上的孔之間的距離電路板應該等于端子之間的距離晶體單元安裝。螺距中最輕微的誤差可能會導致玻璃裂縫水晶單元支架的一部分。
  （3）安裝引線型晶體單元時，我們建議設備應與PC聯系電路板和焊接方式，以防止疲勞和由于機械共振引起的引線斷裂。
  （4）在PC板上安裝貼片石英晶振后，移動單元使支架基底玻璃破裂導致特性惡化。別動了這樣的水晶單元。